 |
||||||||||||||||||
L |
||||||||||||||||||
A |
||||||||||||||||||
L |
||||||||||||||||||
A |
||||||||||||||||||
| |
||||||||||||||||||
L |
||||||||||||||||||
A |
||||||||||||||||||
L |
||||||||||||||||||
A |
||||||||||||||||||
14 ccccccccccccccc28.0855 g/mol
cccccccccccccccmétaloïde
Non métaux
Si
[Ne]3s2 3p2
Couche 3 M Groupe IVA
Silicium
Pro. Générale :
| Symbole | Si |
| Masse atomique relative | 28.08550 g/mol |
| Famille | Non métaux |
| Etat chimique dans les conditions standards | solide |
| Structure cristalline principale | diamant |
| Radioactif | stable |
| Position dans le tableau: Période | 3 |
| Position dans le tableau: Couche | M |
| Position dans le tableau: Colonne | 14 |
| Position dans le tableau: Groupe | IVA |
Description :
Le silicium noir amorphe est obtenu par réduction de sable (SiO2) avec du carbone, les cristaux semi-conducteurs ultrapurs sonts bleu-gris métallique.Ne réagit pas en présence d'oxygène, d'eauou des acides (excepté HF) mais se dissous en milieu alcalin chaud.
Pro. électroniques :
| Niveau | 3p | Affinité électronique M à M- | 133.6 kJ/mol |
| Exception à la règle de Klechkowski | - | Energie d'ionisation de M à M+ | 786.5 kJ/mol |
| Couche | M | Energie d'ionisation de M+ à M2+ | 1 577.1 kJ/mol |
| Bloc | p | Energie d'ionisation de M2+ à M3+ | 3 231.4 kJ/mol |
| Base de la configuration électronique | [Ne] | Energie d'ionisation de M3+ à M4+ | 4 355.5 kJ/mol |
| Configuration électronique à l'état fondamental | 3s2 3p2 | Energie d'ionisation de M4+ à M5+ | 16 091.0 kJ/mol |
